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A*STAR微电子研究所和SOITEC合作 开发下一代石墨烯半导体

发布时间:2025-09-11

网罗轿车传讯 1年末10日,槟城科学、技术技术开发和分析机构(A*STAR)的高技术技术开发分析所(IME)和西班牙半导体材料公司Soitec宣布开展分析协力,技术开发更进一步碳化硅(SiC)半导体,为车也和高性能高强度电子设备提供者内燃机。双方将利用Soitec的专有技术技术开发,如Smart Cut™和IME的试验生产线线来所制造直径为200 mm的SiC半导体平板。

(图片来源不明:Soitec)

此次牵头分析将有助于技术开发一个整体的SiC自然环境,并更高槟城和巴黎的半导体所制造能力。该分析协力计划案于2024下半年中都完成,旨在实现:

Soitec顾问技术技术开发卿兼见习执行副总裁Christophe Maleville表示:“此次协力我们将有希望展示SmartSiC平板可遍及200mm的性能,并为技术开发高性能的外延技术细节铺平道路,以生产线具有节能特性的更高低质量的SiC元件。槟城的半导体自然环境将受益于此,从而测试合理生产线的SiC元件的卓越能效。”

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